Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия | |||
| lab1:capacitance [2019/04/23 07:29] – root_s | lab1:capacitance [2026/09/04 06:05] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1 | ||
|---|---|---|---|
| Строка 4: | Строка 4: | ||
| $$\sigma = kq, \ \ \ \ \ (25)$$ | $$\sigma = kq, \ \ \ \ \ (25)$$ | ||
| где $k$ --- некоторая функция координат рассматриваемой точки поверхности. Потенциал поля, создаваемого заряженным проводником в однородном и изотропном диэлектрике: | где $k$ --- некоторая функция координат рассматриваемой точки поверхности. Потенциал поля, создаваемого заряженным проводником в однородном и изотропном диэлектрике: | ||
| - | $$\varphi = \frac{1}{4\pi \varepsilon | + | $$\varphi = \frac{1}{\varepsilon } \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = |
| - | | + | |
| - | $$\varphi = \frac{1}{\varepsilon } \int\limits_S \frac{\sigma dS}{r} = | + | |
| - | | + | |
| Для точек поверхности $S$ проводника интеграл зависит только от ее размеров и формы. | Для точек поверхности $S$ проводника интеграл зависит только от ее размеров и формы. | ||
| Потенциал $\varphi $ уединенного заряженного проводника, | Потенциал $\varphi $ уединенного заряженного проводника, | ||
| - | $$C = \frac{q}{\varphi}= | + | $$C = \frac{q}{\varphi}= |
| - | 4\pi \varepsilon | + | |
| - | $$C = \frac{q}{\varphi}= | + | |
| - | | + | |
| называется // | называется // | ||
| Емкость уединенного шара: | Емкость уединенного шара: | ||
| - | $$C= 4\pi \varepsilon | + | $$C= \varepsilon R , \ \ \ \ \ (28)$$ |
| - | $$C= \varepsilon R \ \ (СГС), \ \ \ \ \ (28а)$$ | + | где $R$ --- радиус шара, $ \varepsilon $ --- относительная диэлектрическая проницаемость окружающей среды. |
| - | где $R$ --- радиус шара, $ \varepsilon $ --- относительная диэлектрическая проницаемость окружающей среды, $\varepsilon _0$ --- электрическая постоянная. | + | |
| Взаимной электроемкостью двух проводников называется величина, | Взаимной электроемкостью двух проводников называется величина, | ||
| Строка 29: | Строка 24: | ||
| Емкость плоского конденсатора: | Емкость плоского конденсатора: | ||
| - | $$C = \frac{\varepsilon \varepsilon _0 S}{d} \ \ (СИ), \ \ \ \ \ (30)$$ | + | $$C = \frac{\varepsilon S}{4 \pi d} , \ \ \ \ \ (30)$$ |
| - | $$C = \frac{\varepsilon S}{4 \pi d} \ \ (СГС), \ \ \ \ \ (30а)$$ | + | |
| где $S$ --- площадь каждой из пластин или меньшей из них, $d$ --- расстояние между пластинами. | где $S$ --- площадь каждой из пластин или меньшей из них, $d$ --- расстояние между пластинами. | ||
| - | Далее [[Dielectrics_in_an_electric_field|Диэлектрики в электрическом поле]] | + | **Назад** к [[Conductors_in_an_electric_field|проводникам в электрическом поле]] или **далее** к [[Dielectrics_in_an_electric_field|диэлектрикам в электрическом поле]] |