Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия | |||
| lab1:conductors_in_an_electric_field [2020/09/23 10:45] – root | lab1:conductors_in_an_electric_field [2026/09/04 06:05] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1 | ||
|---|---|---|---|
| Строка 3: | Строка 3: | ||
| Под действием внешнего электростатического поля заряды в проводнике (электроны проводимости в металлическом проводнике) перераспределяются таким образом, | Под действием внешнего электростатического поля заряды в проводнике (электроны проводимости в металлическом проводнике) перераспределяются таким образом, | ||
| Векторы электрического поля в однородном и изотропном диэлектрике на поверхности заряженного проводника (вне его) связаны с поверхностной плотностью зарядов $\sigma $ выражениями: | Векторы электрического поля в однородном и изотропном диэлектрике на поверхности заряженного проводника (вне его) связаны с поверхностной плотностью зарядов $\sigma $ выражениями: | ||
| - | $$D = \sigma \ \ (СИ), \ \ \ \ \ (18)$$ | + | $$D = 4\pi \sigma , \ \ \ \ \ (18)$$ |
| - | $$E = \frac{\sigma}{\varepsilon \varepsilon _0} \ \ (СИ),\ \ \ \ \ (19)$$ | + | $$E = \frac{4\pi \sigma}{\varepsilon } , \ \ \ \ \ (19)$$ |
| - | $$D = 4\pi \sigma | + | где $\varepsilon $ --- относительная диэлектрическая проницаемость пространства, |
| - | $$E = \frac{4\pi \sigma}{\varepsilon } \ \ (СГС), \ \ \ \ \ (19а)$$ | + | |
| - | где | + | |
| В проводниках электричество в состоянии равновесия распределяется по наружной поверхности. Если наэлектризованный проводник имеет шарообразную форму и удален от других наэлектризованных тел, то поверхностная плотность для всех точек его сферической поверхности будет одинакова. В случае проводника удлиненной формы наибольшая плотность оказывается на его концах, | В проводниках электричество в состоянии равновесия распределяется по наружной поверхности. Если наэлектризованный проводник имеет шарообразную форму и удален от других наэлектризованных тел, то поверхностная плотность для всех точек его сферической поверхности будет одинакова. В случае проводника удлиненной формы наибольшая плотность оказывается на его концах, | ||
| На элемент $dS$ поверхности заряженного проводника действует сила $dF$, направленная в сторону внешней нормали к поверхности проводника. Если проводник находится в вакууме, | На элемент $dS$ поверхности заряженного проводника действует сила $dF$, направленная в сторону внешней нормали к поверхности проводника. Если проводник находится в вакууме, | ||
| - | $$dF = \frac{\sigma ^2 dS}{2\varepsilon _0} = \frac{\varepsilon _0 E ^2 dS}{2} \ \ | + | $$dF = 2\pi\sigma ^2 dS = \frac{E ^2 dS}{8\pi} , \ \ \ \ \ (20)$$ |
| - | $$dF = 2\pi\sigma ^2 dS = \frac{E ^2 dS}{8\pi} | + | где $Е$ --- электрическое поле у поверхности проводника. Если проводник находится в однородном жидком или газообразном диэлектрике, |
| - | где $Е$ --- электрическое поле у поверхности проводника. Если проводник находится в однородном жидком или газообразном диэлектрике, | + | $$dF = \frac{2\pi\sigma ^2 dS}{\varepsilon} = \frac{\varepsilon E ^2 dS}{8\pi} . \ \ \ \ \ (21)$$ |
| - | $$dF = \frac{\sigma ^2 dS}{2\varepsilon _0 \varepsilon} = \frac{\varepsilon \varepsilon _0 E ^2 dS}{2}\ \ (СИ), \ \ \ \ \ (21)$$ | + | |
| - | $$dF = \frac{2\pi\sigma ^2 dS}{\varepsilon} = \frac{\varepsilon E ^2 dS}{8\pi} | + | |
| Давление $р$ на поверхность заряженного проводника, | Давление $р$ на поверхность заряженного проводника, | ||
| - | $$р = \frac{dF}{dS} | + | $$р = \frac{dF}{dS} |
| - | $$р = \frac{dF}{dS} | + | |
| Силы $F$ притяжения, | Силы $F$ притяжения, | ||
| - | $$F = \frac{\sigma ^2 S}{2\varepsilon _0 } \ \ (СИ), \ \ \ \ \ (23)$$ | + | $$F = 2\pi\sigma ^2 S , \ \ \ \ \ (23)$$ |
| - | $$F = 2\pi\sigma ^2 S \ \ (СГС), \ \ \ \ \ (23а)$$ | + | |
| где $S$ --- площадь обкладки, | где $S$ --- площадь обкладки, | ||
| - | Если пространство между пластинами заполнено однородным жидким или газообразным диэлектриком, | + | Если пространство между пластинами заполнено однородным жидким или газообразным диэлектриком, |
| - | $$F = \frac{\sigma ^2 S}{2\varepsilon _0 \varepsilon} = \frac{\varepsilon \varepsilon _0 E ^2 S}{2}\ \ (СИ), \ \ \ \ \ (24)$$ | + | $$F = 2\pi\sigma ^2 S = \frac{E ^2 S}{8\pi} . \ \ \ \ \ (24)$$ |
| - | $$F = 2\pi\sigma ^2 S = \frac{E ^2 S}{8\pi}\ \ (СГС). \ \ \ \ \ (24а)$$ | + | |
| где $Е$ --- величина поля в конденсаторе. | где $Е$ --- величина поля в конденсаторе. | ||
| // | // | ||
| - | Далее [[Capacitance|Электроемкость]] | + | **Назад** к [[history1|истории]] или **далее** к [[Capacitance|Электроемкости]] |