Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версияСледующая версия | Предыдущая версия | ||
| lab1:experiment_12 [2018/11/29 15:04] – root_s | lab1:experiment_12 [2026/09/04 06:05] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1 | ||
|---|---|---|---|
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| Рассмотрим систему проводников и связанную с ними электрическую схему, показанную на рис. 5а. | Рассмотрим систему проводников и связанную с ними электрическую схему, показанную на рис. 5а. | ||
| - | {{ : | + | {{ :lab1:pic05-2.png?400 |}} |
| - | Между двумя пластинами 1 и 2 располагается изолятор 3 толщиной $\Delta$ и диэлектрической проницаемостью $\varepsilon $. Когда пластины располагаются максимально близко друг к другу, т. е. расстояние $D$ почти равно нулю, на пластину 2 подается напряжение $U$, в результате на потенциальных проводниках системы появится заряд $Q$, равный: | + | Между двумя пластинами 1 и 2 располагается изолятор 3 толщиной $\Delta$ и диэлектрической проницаемостью $\varepsilon $. Когда пластины располагаются максимально близко друг к другу, т.е. расстояние $D$ почти равно нулю, на пластину 2 подается напряжение $U$, в результате на потенциальных проводниках системы появится заряд |
| + | $$Q_{00}=(C_v+C_w+C_{\infty}+C_{12}+C_0)\cdot U_{00},$$ | ||
| + | где $C_1=C_v+C_w+C_{\infty}$ --- сумма емкости вольтметра $C_v$, паразитной ёмкости $C_w$ проводов, соединяющих вольтметр с плоским конденсатором (включая паразитную емкость пластины 2 на близкие заземлённые проводники, | ||
| - | $Q=(C_v+C_п+C_{вз})\cdot | + | После зарядки системы, |
| + | $$ | ||
| + | Q_0=(C_1+C_{12}(D^*))\cdot U_0, \ \ \ \ \ (1.2.2) | ||
| + | $$ | ||
| + | где $D=D^*$ --- расстояние, | ||
| + | $$ | ||
| + | U(D)=\frac{Q_0}{C(D)}, | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | C(D)=C_1+\frac{C_D\cdot | ||
| + | $$ | ||
| + | Будем | ||
| + | $$ | ||
| + | \frac{Q_0}{U_D}=C_1+\frac{\varepsilon S}{4\pi(\Delta +\varepsilon D)}. \ \ \ \ \ (1.2.5), СГС | ||
| + | $$ | ||
| + | Очевидно, | ||
| - | где $C_v$ --- суммарная емкость вольтметра, соединительных проводов и паразитная емкость пластины | + | Важно заметить, что формулы (1.2.4) и (1.2.5) являются почти правильными когда расстояние $D$ мало |
| - | При этом подключенный к обеим пластинам вольтметр покажет величину поданного напряжения | + | $$ |
| - | + | \frac{Q_0}{U_{D_0}}=C_1+\frac{\varepsilon S}{4\pi (\Delta + \varepsilon D_0)} \hspace{5cm} | |
| - | $C=C_1+\frac{C_2\cdot C_д}{C_2+C_д}$, (1.2) | + | $$ |
| + | $$ | ||
| + | \frac{Q_0}{U_{2D_0}}=C_1+\frac{\varepsilon S}{4\pi (\Delta | ||
| + | $$ | ||
| + | $$ | ||
| + | \frac{Q_0}{U_{D=0}}=C_1+\frac{\varepsilon S}{4\pi \Delta } \hspace{5cm} | ||
| + | $$ | ||
| - | где $C_1 = C_v + C_п$, $C_д$ --- емкость конденсатора | + | Решая |
| - | $U=\frac Q{C_v+C_п+\frac{\varepsilon_0\cdot S}{\frac {\Delta}{\varepsilon}+D}} | + | Используя полученные значения, постройте теоретический график зависимости |
| - | =U_0\frac{C_v + C_п+C^0_{вз}}{C_v+C_п+\frac{\varepsilon_0\cdot S}{\frac {\Delta}{\varepsilon}+D}}$ (СИ), (40) | + | |
| - | + | ||
| - | $U=U_0\frac{C_v + C_п+C^0_{вз}}{C_v+C_п+\frac{S}{4\pi (\frac {\Delta}{\varepsilon}+D)}}$(СГС). (41) | + | |
| - | + | ||
| - | **Важно**: в обеих приведенных выше формулах расстояние $D$ соответствует расстоянию между | + | |
| - | + | ||
| - | Как в случае идеального, так и неидеального плоского конденсатора при разнесении пластин на большое расстояние (достаточно уже на масштаб линейного размера пластин) взаимная емкость | + | |
| - | + | ||
| - | Если строить экспериментальную | + | |
| - | + | ||
| - | Легко увидеть, | + | |
| - | + | ||
| - | $C_1=\frac{C_0\cdot U_0-C' | + | |
| - | + | ||
| - | где $C_0=\frac S{4\pi \cdot D_0}$ и $C' | + | |
| - | + | ||
| - | Аналогичным способом можно определить емкость конденсатора с диэлектриком. Измерив $U_0(D = 0)$ и $U' /(D~10 см)$, получим: | + | |
| - | $C_д=\frac{C_0\cdot U_0-C' | + | |
| - | + | ||
| - | где $C_0=\frac {\varepsilon S}{4\pi \cdot D_0}$ и $C' | + | |
| - | + | ||
| - | В результате можно определить величину диэлектрической проницаемости используемого диэлектрика. | + | |
| + | **Назад** к описанию лабораторных работ раздела [[lab1: | ||