Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
Следующая версия		Предыдущая версия
lab1:pril13 [2019/07/08 10:17] – root_slab1:pril13 [2026/09/04 06:05] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 11: Строка 11:
 {{ :lab1:p7.jpg?direct&400 |}} {{ :lab1:p7.jpg?direct&400 |}}
  
-Рис. 7. Принцип действия феррозонда(([[https://drive.google.com/a/nsu.ru/file/d/1xILE-qUE1qGlwDuAc-2G7Nex7DC60fdr/view?usp=drivesdk|Caruso M. J., Dratland T., Dr. Smith C. H., Schneider R. A New +Рис. 7. Принцип действия феррозонда((Caruso M. J., Dratland T., Dr. Smith C. H., Schneider R. A New Perspective on Magnetic Field Sensing. Honeywell, Inc.))
-Perspective on Magnetic Field Sensing. Honeywell, Inc.]])) +
  
 $$ $$
Строка 40: Строка 39:
 где $\mu$ --- подвижность заряженных частиц, а магнитное поле предполагается малым. Это приводит к положительному магнетосопротивлению. В трехмерных ограниченных образцах на боковых гранях возникает разность потенциалов благодаря эффекту Холла, в результате чего носители заряда движутся прямолинейно, поэтому магнетосопротивление с этой точки зрения должно отсутствовать. На самом деле, оно имеет место и в этом случае, поскольку холлово поле компенсирует действие магнитного поля лишь в среднем, как если бы все носители заряда двигались с одной и той же (дрейфовой) скоростью. Однако скорости электронов могут быть различны, поэтому на частицы, движущиеся со скоростями, большими средней скорости, сильнее действует магнитное поле, чем холлово. Наоборот, более медленные частицы отклоняются под действием превалирующего холлова поля. В результате разброса частиц по скоростям уменьшается вклад в проводимость быстрых и медленных носителей заряда, что приводит к увеличению сопротивления. где $\mu$ --- подвижность заряженных частиц, а магнитное поле предполагается малым. Это приводит к положительному магнетосопротивлению. В трехмерных ограниченных образцах на боковых гранях возникает разность потенциалов благодаря эффекту Холла, в результате чего носители заряда движутся прямолинейно, поэтому магнетосопротивление с этой точки зрения должно отсутствовать. На самом деле, оно имеет место и в этом случае, поскольку холлово поле компенсирует действие магнитного поля лишь в среднем, как если бы все носители заряда двигались с одной и той же (дрейфовой) скоростью. Однако скорости электронов могут быть различны, поэтому на частицы, движущиеся со скоростями, большими средней скорости, сильнее действует магнитное поле, чем холлово. Наоборот, более медленные частицы отклоняются под действием превалирующего холлова поля. В результате разброса частиц по скоростям уменьшается вклад в проводимость быстрых и медленных носителей заряда, что приводит к увеличению сопротивления.
  
-В 1988 г. две группы ученых независимо обнаружили материалы с очень большим магнетосопротивлением, этот эффект сейчас известен как гигантское магнетосопротивление (ГМ). Данный эффект наблюдается в искусственно созданных многослойных структурах (см. рис. 8), в которых слои ферромагнитного материала разделены слоями немагнитного материала, например Fe/Cr/Fe, толщина слоев должна составлять около нанометра, т. е. всего несколько десятков размеров атома. Каждый слой ферромагнитного материала, таким образом, состоит из одного магнитного домена/* (лаб. 3--1)*/. Толщина слоев немагнитного материала подбирается таким образом, чтобы домены взаимодействовали между собой. Тогда магнитные моменты в соседних доменах ориентируются так, чтобы компенсировать поля друг друга (результирующий магнитный момент равен нулю).+В 1988 г. две группы ученых независимо обнаружили материалы с очень большим магнетосопротивлением, этот эффект сейчас известен как гигантское магнетосопротивление (ГМ). Данный эффект наблюдается в искусственно созданных многослойных структурах (см. рис. 8), в которых слои ферромагнитного материала разделены слоями немагнитного материала, например Fe/Cr/Fe, толщина слоев должна составлять около нанометра, т. е. всего несколько десятков размеров атома. Каждый слой ферромагнитного материала, таким образом, состоит из одного магнитного домена /* (лаб. 3--1)*/. Толщина слоев немагнитного материала подбирается таким образом, чтобы домены взаимодействовали между собой. Тогда магнитные моменты в соседних доменах ориентируются так, чтобы компенсировать поля друг друга (результирующий магнитный момент равен нулю).
  
-{{ :lab1:p8.jpg?direct&400 |}}+{{ :lab1:p8.jpg?direct&500 |}}
  
-Рис.8. Многослойные магнитные структуры(([[https://drive.google.com/a/nsu.ru/file/d/1q1TLo7EY6mqKUDikLsLNX0nZPeBrKzt9/view?usp=drivesdk|The Discovery of Giant Magnetoresistance]]))+Рис.8. Многослойные магнитные структуры(({{ :lab1:discovery_of_giant_magnetoresistance.pdf |The Discovery of Giant Magnetoresistance}}))
  
 +Сопротивление металлов связанно с рассеянием электронов проводимости на атомах проводника, причем в ферромагнитном материале, где магнитные моменты атомных электронов выстроены в одном направлении, рассеяние зависит от ориентации магнитного момента электронов проводимости относительно собственного момента проводника (подробнее о спиновой зависимости сопротивления и зонной структуре ферромагнитных элементов см. в приложении). Электрическое сопротивление для электронов, магнитный момент которых направлен также, как в проводнике, обозначим R$\mathrm{\uparrow}$, а в противоположном направлении --- R$\mathrm{\downarrow}$. Ток через многослойную структуру можно разложить на ток с магнитным моментом, направленным вверх и вниз (см. рис. 9).
  
 +Если такая многослойная структура не находится в магнитном поле и собственные магнитные моменты проводника в соседних слоях ориентированы в различных направлениях, то сопротивление через элемент структуры М/НМ/М можно рассчитать по формуле параллельного соединения: 
 +$$
 +R = \frac{(R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow})\cdot (R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow})}{(R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow})+(R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow})}=\frac 12\cdot (R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow}).
 +$$
 +В случае если такой многослойный образец находится в магнитном поле, то все магнитные моменты ориентируются вдоль поля и в соседних слоях магнитные моменты направлены в одну и ту же сторону. Тогда сопротивление для параллельных токов, состоящих из электронов с магнитным моментом вверх и вниз 
 +$$
 +Rh=\frac{2\cdot R\mathrm{\uparrow}\cdot R \mathrm{\downarrow}}{R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow}}.
 +$$
 +Разность сопротивлений при отсутствии поля и включенном поле составляет 
 +$$
 +DR=-\frac 12 \frac{(R\mathrm{\uparrow}-R\mathrm{\downarrow})^2}{R\mathrm{\uparrow}+R\mathrm{\downarrow}}. 
 +$$
 +Видно, что в данном случае магнетосопротивление отрицательно.
  
-Сопротивление металлов связанно с рассеянием электронов проводимости на атомах проводника, причем в ферромагнитном материале, где магнитные моменты атомных электронов выстроены в одном направлении, рассеяние зависит от ориентации магнитного момента электронов проводимости относительно собственного момента проводника (подробнее о спиновой зависимости сопротивления и зонной структуре ферромагнитных элементов см. в приложении). Электрическое сопротивление для электронов, магнитный момент которых направлен также, как в проводнике, обозначим R$\mathrm{\uparrow}$, а в противоположном направлении -- R$\mathrm{\downarrow}$. Ток через многослойную структуру можно разложить на ток с магнитным моментом, направленным вверх и вниз (см. рис. 8). +За открытие данного эффекта в 2007 г. Петеру Грюнбергу и Альберту Ферту была присуждена нобелевская премия по физике. В первых работах сообщалось об изменении сопротивления примерно на 10%. В существующих сейчас образцах сопротивление изменяется более чем на 200%, например, в системах Fe/MgO/Fe или Fe/Al2O3/Fe.
- +
-Если такая многослойная структура не находится в магнитном поле и собственные магнитные моменты проводника в соседних слоях ориентированы в различных направлениях, то сопротивление через элемент структуры М/НМ/М можно рассчитать по формуле параллельного соединения: R~=~(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$)~*~(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$)~/~((R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$)~+~(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$))~=~(1/2)*(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$). В случае если такой многослойный образец находится в магнитном поле, то все магнитные моменты ориентируются вдоль поля и в соседних слоях магнитные моменты направлены в одну и ту же сторону. Тогда сопротивление для параллельных токов, состоящих из электронов с магнитным моментом вверх и вниз Rh~=~2*R$\mathrm{\uparrow}$*R$\mathrm{\downarrow}$/(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$). Разность сопротивлений при отсутствии поля и включенном поле составляет DR~=~-(1/2)(R$\mathrm{\uparrow}$~-~R$\mathrm{\downarrow}$)${}^{2}$~/~(R$\mathrm{\uparrow}$~+~R$\mathrm{\downarrow}$). Видно, что в данном случае магнетосопротивление отрицательно. +
- +
-За открытие данного эффекта в metricconverterProductID2007 г2007 г. Петеру Грюнбергу и Альберту Ферту была присуждена нобелевская премия по физике. В первых работах сообщалось об изменении сопротивления примерно на 10~\%. В существующих сейчас образцах сопротивление изменяется более чем на 200~\%, например, в системах Fe/MgO/Fe или Fe/Al2O3/Fe.+
  
 Данный эффект широко используется для создания датчиков магнитного поля, например, жесткий диск любого компьютера содержит около 10 датчиков, работающих на этом эффекте. Высокая чувствительность этих датчиков позволила достичь невиданных плотностей записи информации на магнитные диски. Еще 10 лет назад рекордом считались диски объемом несколько Гбайт, сейчас почти каждый персональный компьютер оснащен диском в сотни Гбайт. Как упоминалось ранее, магниторезистивные датчики также очень чувствительны к направлению магнитного поля, что позволяет использовать их, например, в навигации в качестве электронных компасов. С помощью таких датчиков измеряют и синхронизуют частоту вращения валов двигателей внутреннего сгорания, современный автомобиль содержит сотни подобных датчиков.  Данный эффект широко используется для создания датчиков магнитного поля, например, жесткий диск любого компьютера содержит около 10 датчиков, работающих на этом эффекте. Высокая чувствительность этих датчиков позволила достичь невиданных плотностей записи информации на магнитные диски. Еще 10 лет назад рекордом считались диски объемом несколько Гбайт, сейчас почти каждый персональный компьютер оснащен диском в сотни Гбайт. Как упоминалось ранее, магниторезистивные датчики также очень чувствительны к направлению магнитного поля, что позволяет использовать их, например, в навигации в качестве электронных компасов. С помощью таких датчиков измеряют и синхронизуют частоту вращения валов двигателей внутреннего сгорания, современный автомобиль содержит сотни подобных датчиков. 
  
-\noindent \includegraphics*[width=4.52in, height=4.16in, keepaspectratio=false]{image22} +{{ :lab1:p9.jpg?direct&400 |}}
- +
-\noindent \textit{Рис. 9.} Эффект гигантского магнетосопротивления [4] +
- +
- +
- +
-\begin{enumerate} +
-\item \begin{enumerate} +
-\item  \textbf{Анизотропные магниторезистивные датчики} +
-\end{enumerate} +
-\end{enumerate} +
- +
-Анизотропные магниторезистивные (АМР) датчики за рубежом производятся промышленно и широко используется в навигации, дефектоскопии, регистрации транспортных средств, измерении токов и т.~п. Чувствительным элементом АМР-датчика является Ni-Fe (пермаллоевая) тонкая пленка, нанесенная в виде полоски с характерным сопротивлением 1~кОм на кремниевую подложку. Для нормальной работы домены в пленке должны быть ориентированы вдоль полоски, для чего пленка напыляется в сильном магнитном поле и ее магнитный момент $M$ ориентируется в нужном направлении (рис.~9). Сопротивление пленки зависит от угла между вектором $M$ и направлением текущего по ней тока $I.$ Оно максимально, когда $M$ и $I$ параллельны, и зависит от угла так, как показано на графике.  +
- +
-Если приложить внешнее магнитное поле перпендикулярно по отношению к пермаллоевой полоске, вектор магнитного момента сменит направление и изменит сопротивление полоски. Величина этого изменения может достигать 2--3 \%. Включив полоску в качестве переменного резистора в мост Уитстона, можно легко измерить ее текущее сопротивление, а следовательно, вычислить приложенное поперек нее магнитное поле.  +
- +
-Для работы датчика в линейном режиме применяют метод использующий создание тока под углом 45? в пленке, называют смещением «barber pole». Это смещение создается (рис.~9) путем помещения низкоомных коротких преград поперек ширины пленки. Ток, предпочитая самую короткую дорогу через пленку, течет от одной преграды до следующей под углом 45?. +
- +
- +
- +
-\noindent \includegraphics*[width=4.54in, height=2.95in, keepaspectratio=false]{image23} +
- +
-\noindent \textit{Рис. 10.} Анизотропный магниторезистивный датчик [6] +
- +
- +
- +
- +
- +
-\noindent \includegraphics*[width=3.12in, height=1.33in, keepaspectratio=false]{image24} +
- +
-\noindent  +
- +
-\noindent \textit{Рис. 11.} Способ заставить ток течь под углом 45? [6]+
  
 +Рис. 9. Эффект гигантского магнетосопротивления [4]
  
  
-Не останавливаясь на деталях, приведем данные о чувствительности АМР-датчика. Чувствительность этой мостовой схемы часто выражают в единицах мВ/В/Э, где средняя буква «В» обозначает напряжение, приложенное к мосту. Если напряжение на мосту 5~В, а чувствительность равна 3~мВ/В/Э, то выходное напряжение будет 15~мВ/Э. Для тщательно сделанного моста можно достичь уровня чувствительности 1~мкВ. Это соответствует разрешению 67~мкЭ. При коэффициенте усиления усилителя 67 получим полную выходную чувствительность порядка 1~В/Гс. Следовательно, такой АМР-датчик подходит для работы с магнитными полями порядка земного и может измерять флуктуации этого поля на уровне, по крайней мере, 1 мГс. Согласно графику на рис.~5, предельная чувствительность АМР-датчиков достигает величины менее 1~мкГс. Частотная полоса пропускания датчика обычно находится в диапазоне до 1--5 МГц. Для некоторых более чувствительных схем она может снижаться до 10~Гц, что вполне приемлемо для дистанционного зондирования. Важным преимуществом АМР-датчиков является то, что они миниатюрны и дешевы. К сожалению, данных о рабочем температурном диапазоне этих датчиков в обзорах не приводится. 
  
-\noindent \textbf{\eject Библиографический список }+==== Анизотропные магниторезистивные датчики ====
  
-\textit{}+Анизотропные магниторезистивные (АМР) датчики за рубежом производятся промышленно и широко используется в навигации, дефектоскопии, регистрации транспортных средств, измерении токов и т.п. Чувствительным элементом АМР--датчика является Ni--Fe (пермаллоевая) тонкая пленка, нанесенная в виде полоски с характерным сопротивлением 1 кОм на кремниевую подложку. Для нормальной работы домены в пленке должны быть ориентированы вдоль полоски, для чего пленка напыляется в сильном магнитном поле и ее магнитный момент $M$ ориентируется в нужном направлении (рис. 10). Сопротивление пленки зависит от угла между вектором $M$ и направлением текущего по ней тока $I.$ Оно максимально, когда $M$ и $I$ параллельны, и зависит от угла так, как показано на графике. 
  
-1. \textit{Кунце Х.-И}. Методы физических измерений. М.: Мир, 1989.+Если приложить внешнее магнитное поле перпендикулярно по отношению к пермаллоевой полоске, вектор магнитного момента сменит направление и изменит сопротивление полоски. Величина этого изменения может достигать 2--3 %. Включив полоску в качестве переменного резистора в мост Уитстона, можно легко измерить ее текущее сопротивление, а следовательно, вычислить приложенное поперек нее магнитное поле. 
  
-2. \textit{Сивухин Д. В.} Общий курс физики. М.: Физматлит: Изд-во МФТИ, 2002. Т. 3: Электричество. +Для работы датчика в линейном режиме применяют метод использующий создание тока под углом 45$^{\circ}$ в пленке, называют смещением «barber pole». Это смещение создается (рис. 10) путем помещения низкоомных коротких преград поперек ширины пленки. Ток, предпочитая самую короткую дорогу через пленку, течет от одной преграды до следующей под углом 45$^{\circ}$.
  
-3. \textit{Киттель Ч}. Введение в физику твердого тела, «Наука», М., metricconverterProductID1978 г1978 г.+{{ :lab1:p10.jpg?direct&400 |}}
  
-4. The Discovery of Giant Magnetoresistance. The placePlaceNameRoyal PlaceNameSwedish PlaceTypeAcademy of Sciences+Рис. 10. Анизотропный магниторезистивный датчик [6]
  
-5. Материал из Википедии http://ru.wikipedia.org+{{ :lab1:p11.jpg?direct&400 |}}
  
-6. \textit{Caruso M.~J., Dratland T., Dr. Smith C.~H., Schneider R}.\textit{ A} New Perspective on Magnetic Field Sensing. Honeywell, Inc.+Рис. 11. Способ заставить ток течь под углом 45$^{\circ}$ [6]
  
-7. L.B.Okun, ACTA PHYSICA POLONICA B3, 37(2006), 565+Не останавливаясь на деталях, приведем данные о чувствительности АМР--датчика. Чувствительность этой мостовой схемы часто выражают в единицах мВ/В/Э, где средняя буква «В» обозначает напряжение, приложенное к мосту. Если напряжение на мосту 5 В, а чувствительность равна 3 мВ/В/Э, то выходное напряжение будет 15 мВ/Э. Для тщательно сделанного моста можно достичь уровня чувствительности 1 мкВ. Это соответствует разрешению 67 мкЭ. При коэффициенте усиления усилителя 67 получим полную выходную чувствительность порядка 1 В/Гс. Следовательно, такой АМР--датчик подходит для работы с магнитными полями порядка земного и может измерять флуктуации этого поля на уровне, по крайней мере, 1 мГс. Согласно графику на {{ :lab1:p5.jpg?linkonly |рис. 5}}, предельная чувствительность АМР--датчиков достигает величины менее 1 мкГс. Частотная полоса пропускания датчика обычно находится в диапазоне до 1--5 МГц. Для некоторых более чувствительных схем она может снижаться до 10 Гц, что вполне приемлемо для дистанционного зондирования. Важным преимуществом АМР--датчиков является то, что они миниатюрны и дешевы. К сожалению, данных о рабочем температурном диапазоне этих датчиков в обзорах не приводится.
  
-8. M.A.Gintsburg, Astronom. Zhurnal 40, 703 (1963)+==== Библиографический список  ====
  
-9. Particle Data Group http://pdg.lbl.gov/+  - {{ :кунце.pdf |Кунце Х.-И. Методы физических измерений. М.: Мир, 1989.}} 
 +  - {{ :сивухин.pdf |Сивухин Д.В. Общий курс физики. М.: Физматлит: Изд-во МФТИ, 2002. Т. 3: Электричество.}} 
 +  - {{ :киттель.pdf |Киттель Ч., Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.}} 
 +  - {{ :lab1:discovery_of_giant_magnetoresistance.pdf |The Discovery of Giant Magnetoresistance}} 
 +  - Материал из Википедии http://ru.wikipedia.org 
 +  - Caruso M. J., Dratland T., Dr. Smith C. H., Schneider R. A New Perspective on Magnetic Field Sensing. Honeywell, Inc.
  
-10. Harry Kloor, Epharain Fishbach and Carrick Talmadge; Geoffrey L. Greene, ``Limit on new forces coexisting with electromagnetism'', Phys. Rev. D 49, 4 (1994) 
  
 +**Назад**  [[experiment_13|требованиям к отчету]] и контрольным вопросы или **далее** к описанию лабораторных работ раздела [[lab1:lab1|Электростатика и магнитостатика]]