Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
Следующая версия		Предыдущая версия
lab2:теория24 [2021/08/30 12:22] – rootlab2:теория24 [2026/09/04 06:05] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 44: Строка 44:
 следующее выражение для среднего квадрата флуктуаций тока $I$ диода: следующее выражение для среднего квадрата флуктуаций тока $I$ диода:
 $$ $$
-\overline{ \Delta I_{\text{др}}^2}=2eI\Delta f,\label{eq:16}+\overline{ \Delta I_{\text{др}}^2}=2eI\Delta f,
 $$ $$
 где $e$ --- заряд электрона; $\Delta f$ --- полоса частот, в которой где $e$ --- заряд электрона; $\Delta f$ --- полоса частот, в которой
Строка 52: Строка 52:
 напряжения на нем равен:  напряжения на нем равен: 
 $$ $$
-(*) \,\,\,\, \overline{\Delta U_{\text{др}}^2}=2eI\left|Z\right|^{2}\Delta f,\label{eq:17}+\overline{\Delta U_{\text{др}}^2}=2eI\left|Z\right|^{2}\Delta f, \,\,\,\,\,\,\,\, {(1)}
 $$ $$
 где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления.  где $\left|Z\right|$ --- модуль комплексного сопротивления. 
Строка 65: Строка 65:
 $Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим, $Q$ --- добротность контура. Однако этот момент не является определяющим,
 так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора так как диод в режиме насыщения фактически работает в режиме генератора
-тока (отражением этого обстоятельства является формула (*))+тока (отражением этого обстоятельства является формула (1))
 и напряжение можно увеличить, используя любое большое сопротивление. и напряжение можно увеличить, используя любое большое сопротивление.
 Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$ Более существенным является резонансный вид зависимости $\left|Z\right|^{2}$
 для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования. для колебательного контура и возможность ее аналитического интегрирования.
-Так, для LCR --- контура, изображенного на рисунке: +Так, для LCR --- контура, изображенного на рисунке:
 {{ :lab2:pic11.png?500 |}} {{ :lab2:pic11.png?500 |}}
 зависимость комплексного зависимость комплексного
 сопротивления от частоты имеет вид  сопротивления от частоты имеет вид 
 $$ $$
-Z(\omega)=\frac{R+i\omega L}{1-\omega^{2}LC+i\omega RC}.\label{eq:18}+Z(\omega)=\frac{R+i\omega L}{1-\omega^{2}LC+i\omega RC}.
 $$ $$
 Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно:  Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напряжение шумов на нем равно: 
 $$ $$
-(**) \,\,\,\, \overline{ \Delta U_{\text{др}}^2} =2eI\int_{0}^{\infty}\left|Z(f)\right|^{2}df=\frac{2eI}{2\pi}\int_{0}^{\infty}\left|Z(\omega)\right|^{2}d\omega.\label{eq:19}+\overline{ \Delta U_{\text{др}}^2} =2eI\int_{0}^{\infty}\left|Z(f)\right|^{2}df=\frac{2eI}{2\pi}\int_{0}^{\infty}\left|Z(\omega)\right|^{2}d\omega. \,\,\,\,\,\,\,{(2)}
 $$ $$
 +
 +
 +
 Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1,$ Когда добротность контура $Q$ велика $Q=\frac{\omega_{0}L}{R}=\frac{1}{\omega_{0}CR}\gg1,$
 где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота, где $\omega_{0}\approx\frac{1}{\sqrt{LC}}$ --- резонансная частота,
-из выражения (**) можно получить +из выражения (2) можно получить 
 $$ $$
-e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\overline{ U_{\text{др}}^{2}} }{IQ}.\label{eq:20}+e=\frac{2\omega_{0}C^{2}\overline{ U_{\text{др}}^{2}} }{IQ}.
 $$ $$
  
  
 Это выражение используется для определения заряда электрона. Это выражение используется для определения заряда электрона.
- 
 Назад к [[lab2:lab2|описанию ]] лабораторных работ "Физические явления в вакуумном диоде" или далее к [[идея24|идеи эксперимента и его рабочей схемы]] Назад к [[lab2:lab2|описанию ]] лабораторных работ "Физические явления в вакуумном диоде" или далее к [[идея24|идеи эксперимента и его рабочей схемы]]