Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

--- lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 15:51] – root_s
+++ lab4:домены_и_гистерезис [2019/04/07 15:56] (текущий) – root_s
@@ Строка 13: / Строка 13: @@
 P(E)=P_{s} +\chi E,
 $$
-где $P_{i} =\chi E$ --- индуцированная поляризация, а $\chi$ --- диэлектрическая восприимчивость, до пересечения с осью ординат дает величину спонтанной поляризации образца $P_{s}$. При уменьшении поля и дальнейшем увеличении обратного поля изменение $P(E)$ идет по кривой bdfg, лежащей выше начального участка кривой, так как смещение доменных границ и рост новых доменов задерживается. При полном цикле изменения поля в прямом и обратном направлении кривая описывает замкнутую //петлю гистерезиса.// Поле $E_{c},$ которое надо приложить для того, чтобы уменьшить $P$ до нуля, называется //коэрцитивным полем.// Величина коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках (табл. 2) зависит от таких факторов, как температура, частота поля, толщина и качество кристалла. Величина поляризации $P_{r} $ на обратной кривой при $E=0$ называется //остаточной поляризацией.//
+где $P_{i} =\chi E$ --- индуцированная поляризация, а $\chi$ --- диэлектрическая восприимчивость, до пересечения с осью ординат дает величину спонтанной поляризации образца $P_{s}.$ При уменьшении поля и дальнейшем увеличении обратного поля изменение $P(E)$ идет по кривой bdfg, лежащей выше начального участка кривой, так как смещение доменных границ и рост новых доменов задерживается. При полном цикле изменения поля в прямом и обратном направлении кривая описывает замкнутую //петлю гистерезиса.// Поле $E_{c},$ которое надо приложить для того, чтобы уменьшить $P$ до нуля, называется //коэрцитивным полем.// Величина коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках (табл. 2) зависит от таких факторов, как температура, частота поля, толщина и качество кристалла. Величина поляризации $P_{r} $ на обратной кривой при $E=0$ называется //остаточной поляризацией.//
-\noindent ~$P_{s} $$P_{r} $~~$E_{c} $~$P_{s} $$P_{r} $~~$E_{c} $\includegraphics*[width=3.31in, height=3.41in, keepaspectratio=false]{image20}
+**Таблица 2**
-\noindent \textit{}
-\noindent \textit{\eject Таблица 2}\textbf{\textit{}}
 **Некоторые параметры сегнетоэлектриков** ($E_с$ --- коэрцитивное поле при низких ($\approx 60$ Гц) частотах, $\varepsilon $ --- диэлектрическая проницаемость в слабом поле. В скобках указана температура, при которой проведены измерения)
@@ Строка 34: / Строка 30: @@
 поэтому зависимость $\vec D(\vec E)$ также имеет вид петли гистерезиса. Для случая сегнетоэлектриков $4\pi {\vec P}\gg {\vec E}$ (${\vec P}\gg \varepsilon _{0} {\vec E}$ в системе СИ), поэтому зависимости $P(E)$ и $D(E)$ различаются только масштабом.
-Кривая \textit{oabc}, которую описывает точка вершины \textit{частного цикла} при плавном увеличении поля, называется \textit{основной кривой поляризации }$D_{oabc} (E)$\textit{.} Из-за нелинейной зависимости $D_{oabc} (E)$ следует различать \textit{дифференциальную диэлектрическую проницаемость}
+Кривая oabc, которую описывает точка вершины //частного цикла// при плавном увеличении поля, называется //основной кривой поляризации// $D_{oabc} (E).$ Из-за нелинейной зависимости $D_{oabc} (E)$ следует различать //дифференциальную диэлектрическую проницаемость//
+$$
-\begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline
+\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} , \ \ \ \ \varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE}
-$\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{dE} $, & $\varepsilon _{dif} =\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} $ & \eqref{GrindEQ__14_} \\ \hline
+$$
-\end{tabular}
+и //диэлектрическую проницаемость//, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат
+$$
-и \textit{диэлектрическую проницаемость}, определяемую как угловой коэффициент $D(E)$ в начале координат\textbf{}
+\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} , \ \ \ \ \varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} \right)_{E=0} .
+$$
-\begin{tabular}{|p{1.4in}|p{1.4in}|p{0.3in}|} \hline
+Последнюю можно также определить как //диэлектрическую проницаемость, измеряемую в слабом переменном поле,// т.е. в поле, интенсивность которого недостаточна для переориентации доменов.
-$\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{dE} \right)_{E=0} $, & $\varepsilon =\left(\frac{dD_{oabc} }{\varepsilon _{0} dE} \right)_{E=0} $. &   \eqref{GrindEQ__15_} \\ \hline
-\end{tabular}
-Последнюю можно также определить как \textit{диэлектрическую проницаемость, измеряемую в слабом переменном поле, }т. е. в поле, интенсивность которого недостаточна для переориентации доменов.