Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
Следующая версия		Предыдущая версия
lab4:контрольные_вопросы41 [2019/04/07 08:50] – [Задание 2] root_slab4:контрольные_вопросы41 [2026/09/04 06:04] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 40: Строка 40:
   - Откройте программу измерения зависимости напряжения от температуры "**Temp\_Vol**".   - Откройте программу измерения зависимости напряжения от температуры "**Temp\_Vol**".
   - Поместите образец в нагреватель, установите на источнике питания нагревателя величину тока, равную 500 мА, напряжение --- 20 В, и  включите сетевой тумблер. Кнопкой "$\Rightarrow $" запустите программу. \\ Запишите зависимость напряжения на контактах 3, 4 от температуры образца. (Скорость нагрева образца $\sim \frac{10 В}{10 мин}$. При достижении температуры $\sim  100 ^{\circ}$С, что соответствует $\sim $ 60 В, выньте образец из нагревателя и запишите температурную зависимость при естественном охлаждении образца до комнатной температуры. Сохраните экспериментальные данные. **Обратите внимание, что максимальное число точек записи  равно 1 000**.   - Поместите образец в нагреватель, установите на источнике питания нагревателя величину тока, равную 500 мА, напряжение --- 20 В, и  включите сетевой тумблер. Кнопкой "$\Rightarrow $" запустите программу. \\ Запишите зависимость напряжения на контактах 3, 4 от температуры образца. (Скорость нагрева образца $\sim \frac{10 В}{10 мин}$. При достижении температуры $\sim  100 ^{\circ}$С, что соответствует $\sim $ 60 В, выньте образец из нагревателя и запишите температурную зависимость при естественном охлаждении образца до комнатной температуры. Сохраните экспериментальные данные. **Обратите внимание, что максимальное число точек записи  равно 1 000**.
-  - Постройте график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1}).$ [[Методом наименьших квадратов]] определите ширину запрещенной зоны $E_{g}$ полупроводника и вычислите погрешность.+  - Постройте график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1}).$ [[https://ru.wikipedia.org/wiki/Метод_наименьших_квадратов|методом наименьших квадратов]] определите ширину запрещенной зоны $E_{g}$ полупроводника и вычислите погрешность.
   - Сравните полученный результат с табличными данными и определите материал исследуемого полупроводника.   - Сравните полученный результат с табличными данными и определите материал исследуемого полупроводника.
   - Вычислите собственную концентрацию носителей и суммарную подвижность при комнатной температуре как $u=u_{n} +u_{p} $. По соотношению Эйнштейна вычислите коэффициент диффузии. Оцените время диффузии частицы на характерном размере полупроводникового элемента порядка 1 мкм.   - Вычислите собственную концентрацию носителей и суммарную подвижность при комнатной температуре как $u=u_{n} +u_{p} $. По соотношению Эйнштейна вычислите коэффициент диффузии. Оцените время диффузии частицы на характерном размере полупроводникового элемента порядка 1 мкм.
Строка 68: Строка 68:
   * график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1})$;   * график зависимости ln$\sigma = f(Т^{-1})$;
   * значение ширины запрещенной зоны $E_g$, концентрации, суммарную подвижность и коэффициент диффузии носителей и сравнение с их теоретическими значениями.     * значение ширины запрещенной зоны $E_g$, концентрации, суммарную подвижность и коэффициент диффузии носителей и сравнение с их теоретическими значениями.  
 +
 +Назад к описанию [[:lab4:эксперимент41|эксперимента]] или далее к [[lab4:lab4|описанию ]] лабораторных работ "Электрические и магнитные свойства твердых тел"