Различия
Показаны различия между двумя версиями страницы.
| Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версияСледующая версия | Предыдущая версия | ||
| lab4:оборудование42 [2021/07/15 06:31] – root | lab4:оборудование42 [2021/09/13 12:02] (текущий) – root | ||
|---|---|---|---|
| Строка 4: | Строка 4: | ||
| Характер проводимости полупроводников, | Характер проводимости полупроводников, | ||
| - | {{ : | + | {{ : |
| - | /*{{ : | + | /* {{ : |
| + | {{ : | ||
| {{ : | {{ : | ||
| {{ : | {{ : | ||
| - | В схеме используется источник питания [[tex: | + | В схеме используется источник питания [[tex: |
| {{ : | {{ : | ||
| Строка 15: | Строка 16: | ||
| Исследуемый образец | Исследуемый образец | ||
| {{ : | {{ : | ||
| - | Величина поля между полюсами **N, S** пропорциональна току в катушках, | + | Величина поля между полюсами **N, S** пропорциональна току в катушках, |
| /* Направленное движение носителей происходит под действием ЭДС источника линейно меняющегося напряжения. Падение напряжения на сопротивлении $R,$ пропорциональное току через образец, | /* Направленное движение носителей происходит под действием ЭДС источника линейно меняющегося напряжения. Падение напряжения на сопротивлении $R,$ пропорциональное току через образец, | ||
| */ | */ | ||
| - | + | {{ :lab4:лр_4.2схема_кристалла.jpg? | |
| - | {{ :lab4:устройство_датчика_холла_-_002.jpg?400 |Датчик в магнитном поле}} | + | |
| Измеренная разность потенциалов является суммой холловской, | Измеренная разность потенциалов является суммой холловской, | ||
| $$ | $$ | ||
| - | U_{1} =U_{34} +U_{доп}, | + | U_{1} =U_{34} +U_{доп}, |
| $$ | $$ | ||
| Изменение направления поля через образец можно осуществить поворотом образца на $180^{\circ}$ или изменением направления тока, протекающего через катушки электромагнита. Подумайте, | Изменение направления поля через образец можно осуществить поворотом образца на $180^{\circ}$ или изменением направления тока, протекающего через катушки электромагнита. Подумайте, | ||