Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
lab4:свойства [2019/04/07 13:57] – root_slab4:свойства [2026/09/04 06:04] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 3: Строка 3:
 К сегнетоэлектрикам относятся кристаллические диэлектрики, обладающие следующими свойствами: К сегнетоэлектрикам относятся кристаллические диэлектрики, обладающие следующими свойствами:
  
-  - В сегнетоэлектрических кристаллах существует [[спонтанная поляризация]] ${\vec P}_{s} $ в отсутствие внешнего поля. Такое состояние кристалла называется //полярным // (или //сегнетоэлектрическим//) //состоянием//. Величина спонтанной поляризации для различных сегнетоэлектриков лежит в интервале $10^{-7}\div 10^{-5} \frac{Кл}{см^2}.$ В обычных щелочно-галоидных кристаллах столь большие значения индуцированной поляризации могут быть достигнуты в полях $10^{7}\div 10^{8} \frac Вм.$ +  - В сегнетоэлектрических кристаллах существует //спонтанная поляризация// ${\vec P}_{s} $ в отсутствие внешнего поля. Такое состояние кристалла называется //полярным// (или //сегнетоэлектрическим//) //состоянием//. Величина спонтанной поляризации для различных сегнетоэлектриков лежит в интервале $10^{-7}\div 10^{-5} \frac{Кл}{см^2}.$ В обычных щелочно-галоидных кристаллах столь большие значения индуцированной поляризации могут быть достигнуты в полях $10^{7}\div 10^{8} \frac Вм.$ 
-  - При нагреве кристалла выше [[точки Кюри]] $T_{c}$ кристалл из полярного состояния переходит в //неполярное// (или // параэлектрическое//) состояние, в котором $\vec P_{S} =0.$ Некоторые кристаллы находятся в полярном состоянии в определенной области температур, поэтому они характеризуются также //нижней точкой Кюри//. Кристалл в неполярном состоянии является обычным диэлектриком, в котором при приложении внешнего поля возникает обычная //индуцированная поляризация// (электронная, ионная и ориентационная).+  - При нагреве кристалла выше //точки Кюри// $T_{c}$ кристалл из полярного состояния переходит в //неполярное// (или //параэлектрическое//) состояние, в котором $\vec P_{S} =0.$ Некоторые кристаллы находятся в полярном состоянии в определенной области температур, поэтому они характеризуются также //нижней точкой Кюри//. Кристалл в неполярном состоянии является обычным диэлектриком, в котором при приложении внешнего поля возникает обычная //индуцированная поляризация// (электронная, ионная и ориентационная).
   - В области фазового перехода происходит резкое изменение величины спонтанной поляризации и диэлектрической восприимчивости, а также некоторых других оптических, механических и тепловых свойств. Сегнетоэлектрики характеризуются высоким значением диэлектрической проницаемости, сильно зависящей от температуры. В области выше фазового  перехода температурная зависимость диэлектрической проницаемости аппроксимируется полуэмпирическим //законом Кюри --- Вейсса// $$ \varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} },$$ где $С$ --- //константа Кюри//; $T_{0}$ --- //температура Кюри --- Вейсса// ($T_{c} \approx T_0$, поэтому в дальнейшем мы будем использовать обозначение $T_{c}$ для температуры фазового перехода).   - В области фазового перехода происходит резкое изменение величины спонтанной поляризации и диэлектрической восприимчивости, а также некоторых других оптических, механических и тепловых свойств. Сегнетоэлектрики характеризуются высоким значением диэлектрической проницаемости, сильно зависящей от температуры. В области выше фазового  перехода температурная зависимость диэлектрической проницаемости аппроксимируется полуэмпирическим //законом Кюри --- Вейсса// $$ \varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} },$$ где $С$ --- //константа Кюри//; $T_{0}$ --- //температура Кюри --- Вейсса// ($T_{c} \approx T_0$, поэтому в дальнейшем мы будем использовать обозначение $T_{c}$ для температуры фазового перехода).
   - В полярном состоянии кристалл сегнетоэлектрика имеет //доменную структуру//. В пределах каждого домена дипольные моменты всех элементарных ячеек кристалла, образующие $\vec P_{s}$, ориентированы одинаково, в соседних же доменах векторы $\vec P_{s} $ направлены в произвольных направлениях. Следствием доменной структуры является //гистерезисная зависимость// между электрической индукцией и полем $\vec D (\vec E)$ и между поляризацией кристалла и полем $\vec P (\vec E).$   - В полярном состоянии кристалл сегнетоэлектрика имеет //доменную структуру//. В пределах каждого домена дипольные моменты всех элементарных ячеек кристалла, образующие $\vec P_{s}$, ориентированы одинаково, в соседних же доменах векторы $\vec P_{s} $ направлены в произвольных направлениях. Следствием доменной структуры является //гистерезисная зависимость// между электрической индукцией и полем $\vec D (\vec E)$ и между поляризацией кристалла и полем $\vec P (\vec E).$