Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
Следующая версия		Предыдущая версия
lab4:теория_3 [2019/09/09 11:18] – root_slab4:теория_3 [2026/09/04 06:04] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 1: Строка 1:
 ===== Регистрация петли гистерезиса ===== ===== Регистрация петли гистерезиса =====
  
-Исследуемый образец представляет собой плоскопараллельную пластинку сегнетоэлектрической конденсаторной керамики толщиной $d$ и площадью $S$ с посеребренными плоскостями, к которым припаяны электрические выводы. Данные для $d$ и $S$ приведены в спецификации к работе.+Исследуемый образец представляет собой плоскопараллельную пластинку сегнетоэлектрической конденсаторной керамики толщиной $d$ и площадью $S$ с посеребренными плоскостями, к которым припаяны электрические выводы. Данные для $d$ и $S$ приведены в [[спецификации]] к работе.
  
 Классическая схема для записи петли гистерезиса (Сойер и Тауэр, 1930) показана на рисунке: Классическая схема для записи петли гистерезиса (Сойер и Тауэр, 1930) показана на рисунке:
Строка 27: Строка 27:
 при частоте $f=500$ Гц.  при частоте $f=500$ Гц. 
  
-Для того чтобы обеспечить малость амплитудных и фазовых искажений вносимых измерительной цепью должно выполняться условие $\left|Z_{Cx} \right|\ll R_{вх} $, где $R_{вх}$ --- входное сопротивление пробника, подсоединенного к осциллографу. В работе применяется пассивный пробник P2200 с $R_{вх} \cong 10$ МОм в положении переключателя коэффициента ослабления 10X и $R_{вх} \cong 1$ МОм в положении переключателя коэффициента ослабления 1X. +Для того чтобы обеспечить малость амплитудных и фазовых искажений вносимых измерительной цепью должно выполняться условие $\left|Z_{Cx} \right|\ll R_{вх} $, где $R_{вх}\approx 4 МОм$ --- сопротивление делителя. 
 + 
 +/*пробника, подсоединенного к осциллографу. В работе применяется пассивный пробник P2200 с $R_{вх} \cong 10$ МОм в положении переключателя коэффициента ослабления 10X и $R_{вх} \cong 1$ МОм в положении переключателя коэффициента ослабления 1X. 
  
 В схеме рис. 7 сигнал $U_{x}$ ослабляется пробником в 10 раз, поэтому для отображения истинного напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе в меню К1 следует установить значение параметра Probe 10X. В схеме рис. 7 сигнал $U_{x}$ ослабляется пробником в 10 раз, поэтому для отображения истинного напряжения на сегнетоэлектрическом конденсаторе в меню К1 следует установить значение параметра Probe 10X.
  
 **Предостережение.** Максимальное напряжение на входе при использовании пробника в положении 10X для синусоидального сигнала не должно превышать 300 В (среднеквадратичное значение) и 150 В в положении пробника 1X. Превышение этих значений может привести к повреждению осциллографа. **Предостережение.** Максимальное напряжение на входе при использовании пробника в положении 10X для синусоидального сигнала не должно превышать 300 В (среднеквадратичное значение) и 150 В в положении пробника 1X. Превышение этих значений может привести к повреждению осциллографа.
 +*/
 ===== Измерение температуры ===== ===== Измерение температуры =====
  
-При исследовании зависимости свойств сегнетоэлектрика от температуры схема (см. рис. 7) дополняется устройством для подогрева образца и измерения его температуры. Образец нагревается в печке, представляющей собой проволочное сопротивление, на которое подается регулируемое напряжение от источника. Температура контролируется термопарой либо полупроводниковым датчиком температуры. Датчик температуры находится в тепловом контакте с одной из пластин сегнетоэлектрического конденсатора.+При исследовании зависимости свойств сегнетоэлектрика от температуры схема дополняется устройством для подогрева образца и измерения его температуры. Образец нагревается в печке, представляющей собой проволочное сопротивление, на которое подается регулируемое напряжение от источника. Температура контролируется термопарой либо полупроводниковым датчиком температуры. Датчик температуры находится в тепловом контакте с одной из пластин сегнетоэлектрического конденсатора.
  
 ===== Библиографический список ===== ===== Библиографический список =====
  
  
-  - Киттель Ч., Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. +  - {{ :киттель.pdf |Киттель Ч., Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.}} 
-  - Фейнмановские лекции по физике, Р. Фейнман, З. Лейтон, М. Сэндс. Вып. 5: Электричество и магнетизм. М.: Мир, 1966. +  - {{ :фейнман_5.pdf |Фейнмановские лекции по физике, Р. Фейнман, З. Лейтон, М. Сэндс. Вып. 5: Электричество и магнетизм. М.: Мир, 1966.}} 
-  - Иона Ф.,  Ширане Д., Сегнетоэлектрические  кристаллы.  М.: Мир, 1965. +  - {{ :иона.pdf |Иона Ф.,  Ширане Д., Сегнетоэлектрические  кристаллы.  М.: Мир, 1965.}} 
-  - Желудев И. С., Электрические кристаллы. М.: Наука, 1969. +  - {{ :желудев.pdf |Желудев И. С., Электрические кристаллы. М.: Наука, 1969.}} 
-  - Сивухин Д. В.,  Общий  курс  физики.  Т. 3:  Электричество. М.: Наука, 1983. +  - {{ :сивухин.pdf |Сивухин Д.В. Общий курс физики. М.: Физматлит: Изд-во МФТИ, 2002. Т. 3: Электричество.}} 
-  - физических измерений / Под ред. Р. И. Солоухина. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1975. +  - {{ :струков.pdf |Струков Б.А., Леванюк А.П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах, М.: Наука, 1983.}} 
-  - Таблицы физических величин /  Под  ред.  И. К.  Кикоина  М.: Атомиздат, 1976.+  - Методы физических измерений: Лабораторный практикум по физике под ред. Р. И. Солоухина. Новосибирск: НГУ, 1975. 
 +  - {{ :таблицы_физических_величин.pdf |Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. акад. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976.}}
  
-Далее к [[:lab4:эксперимент3|заданию]] лабораторной работы+Назад к [[lab4:lab4|описанию ]] лабораторных работ "Электрические и магнитные свойства твердых тел"  или далее к [[:lab4:эксперимент3|заданию]] лабораторной работы