Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
lab4:эксперимент3 [2021/09/07 11:37] – rootlab4:эксперимент3 [2026/09/04 06:04] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 37: Строка 37:
  
 ==== Задание 4.==== ==== Задание 4.====
-Определение температурной зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ${\varepsilon}(T).$ Проверка закона Кюри--Вейсса в области фазового перехода}+Определение температурной зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ${\varepsilon}(T).$ Проверка закона Кюри--Вейсса в области фазового перехода
  
   - Снимите зависимость емкости конденсатора, заполненного сегнетоэлектриком, от температуры $C_{x}(T)$ в диапазоне температур от комнатной до температуры, превышающей $T_{c}$  примерно на 20%. Для того чтобы построить график зависимости $\varepsilon (T),$ используйте соотношение $\varepsilon (T)=\frac{C_{x} (T)}{C} $, где $C=\varepsilon _{0} \frac{S}{d} $ --- емкость конденсатора без сегнетоэлектрика. В области фазового перехода, в которой диэлектрическая проницаемость быстро меняется, отсчеты делайте более часто, чем на гладком участке зависимости $\varepsilon (T).$ Выключите нагрев конденсатора после достижения максимальной температуры и снимите зависимость $\varepsilon (T)$ при остывании образца. Определите точку Кюри по кривой $\varepsilon (T)$ и сравните ее с $T_{c},$ полученной в [[#Задание 3.|задании 3]] по кривой $P_{s}(T).$ Сравните значение $\varepsilon $ при нормальной температуре со значением проницаемости, полученной в [[#Задание 2.|задании 2]], методом дифференцирования основной кривой поляризации. \\ Для того чтобы применить уравнение $\varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} } $ к описанию экспериментальной зависимости $\varepsilon (T),$ следует учесть, что в точке перехода $T_{c}$ наблюдается высокое, но конечное значение $\varepsilon $. Пусть $\varepsilon (T_{c} )=\varepsilon _{c} $. Тогда уравнение $\varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} } $ обобщается в виде $$   - Снимите зависимость емкости конденсатора, заполненного сегнетоэлектриком, от температуры $C_{x}(T)$ в диапазоне температур от комнатной до температуры, превышающей $T_{c}$  примерно на 20%. Для того чтобы построить график зависимости $\varepsilon (T),$ используйте соотношение $\varepsilon (T)=\frac{C_{x} (T)}{C} $, где $C=\varepsilon _{0} \frac{S}{d} $ --- емкость конденсатора без сегнетоэлектрика. В области фазового перехода, в которой диэлектрическая проницаемость быстро меняется, отсчеты делайте более часто, чем на гладком участке зависимости $\varepsilon (T).$ Выключите нагрев конденсатора после достижения максимальной температуры и снимите зависимость $\varepsilon (T)$ при остывании образца. Определите точку Кюри по кривой $\varepsilon (T)$ и сравните ее с $T_{c},$ полученной в [[#Задание 3.|задании 3]] по кривой $P_{s}(T).$ Сравните значение $\varepsilon $ при нормальной температуре со значением проницаемости, полученной в [[#Задание 2.|задании 2]], методом дифференцирования основной кривой поляризации. \\ Для того чтобы применить уравнение $\varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} } $ к описанию экспериментальной зависимости $\varepsilon (T),$ следует учесть, что в точке перехода $T_{c}$ наблюдается высокое, но конечное значение $\varepsilon $. Пусть $\varepsilon (T_{c} )=\varepsilon _{c} $. Тогда уравнение $\varepsilon \approx \frac{C}{T-T_{0} } $ обобщается в виде $$