Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Следующая версия		Предыдущая версия
lab4:эксперимент41 [2019/04/06 13:24] – создано root_slab4:эксперимент41 [2026/09/04 06:04] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 1: Строка 1:
-Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре }+===== Измерение проводимости полупроводника при комнатной температуре =====
  
 Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке Схема установки для определения проводимости полупроводника при комнатной температуре показана на рисунке
Строка 6: Строка 6:
  
 При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца  подается  в канал $U$.  Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника. При протекании в цепи образца тока $I$ на сопротивлении $R$ происходит падение напряжения, пропорциональное току $U=I\cdot R$, которое подается в канал $I$ блока регистрации. Разность потенциалов между контактами (3, 4) образца  подается  в канал $U$.  Получив вольт-амперную характеристику, зная геометрические размеры образца и его сопротивление, можно по формуле $j=\sigma E$ рассчитать проводимость полупроводника.
 +
 +Назад к описанию [[:lab4:oборудование41|оборудования и образца]] или далее к [[:lab4:контрольные_вопросы41|контрольным вопросам и заданию]]