Различия

Показаны различия между двумя версиями страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слеваПредыдущая версия
Следующая версия		Предыдущая версия
lab6:теория22 [2024/08/27 07:39] – rootlab6:теория22 [2026/09/04 06:06] (текущий) – внешнее изменение 127.0.0.1
Строка 20: Строка 20:
  
 Вольфрамовый катод начинает испускать электроны при температуре около 1400°С, оксидный катод – при температуре около 350°С. С дальнейшим ростом температуры ток эмиссии экспоненциально возрастает по закону Ричардсона – Дэшмана (см. методическое пособие к работе 2.1).  Вольфрамовый катод начинает испускать электроны при температуре около 1400°С, оксидный катод – при температуре около 350°С. С дальнейшим ростом температуры ток эмиссии экспоненциально возрастает по закону Ричардсона – Дэшмана (см. методическое пособие к работе 2.1). 
-При подаче на анод диода положительного (относительно катода) потенциала в межэлектродном пространстве диода возникает ускоряющее электроны в направлении к аноду электрическое поле. Можно предположить, что в этом поле все испущенные катодом электроны устремятся к аноду так, что ток анода будет равен току эмиссии, однако экспериментальная проверка это предположение опровергает. Оно справедливо только для относительно низких температур и малых плотностей тока эмиссии. При бо́льших температурах катода экспериментально наблюдаемый ток анода достигает насыщения и стабилизируется на постоянном уровне, не зависящем от температуры. С ростом анодного напряжения этот предельный ток монотонно и нелинейно возрастает. Наблюдаемое явление качественно объясняется влиянием пространственного заряда.+ 
 +При подаче на анод диода положительного (относительно катода) потенциала в межэлектродном пространстве диода возникает ускоряющее электроны в направлении к аноду электрическое поле. Можно предположить, что в этом поле все испущенные катодом электроны устремятся к аноду так, что ток анода будет равен току эмиссии, однако экспериментальная проверка это предположение опровергает. Оно справедливо только для относительно низких температур и малых плотностей тока эмиссии. При бОльших температурах катода экспериментально наблюдаемый ток анода достигает насыщения и стабилизируется на постоянном уровне, не зависящем от температуры. С ростом анодного напряжения этот предельный ток монотонно и нелинейно возрастает. Наблюдаемое явление качественно объясняется влиянием пространственного заряда. 
 Холодный катод вакуумного диода не способен испускать электроны. В этом режиме диод представляет собой обычный вакуумный конденсатор. Напряжённость электрического поля внутри такого конденсатора практически постоянна, а электрический потенциал между катодом и анодом в плоскопараллельной конфигурации изменяется по линейному закону. Одиночный электрон, попавший в такое поле, движется с постоянным ускорением, которое прямо пропорционально ускоряющему полю и, следовательно, напряжению на диоде. Холодный катод вакуумного диода не способен испускать электроны. В этом режиме диод представляет собой обычный вакуумный конденсатор. Напряжённость электрического поля внутри такого конденсатора практически постоянна, а электрический потенциал между катодом и анодом в плоскопараллельной конфигурации изменяется по линейному закону. Одиночный электрон, попавший в такое поле, движется с постоянным ускорением, которое прямо пропорционально ускоряющему полю и, следовательно, напряжению на диоде.
 +
 Нагретый катод начинает испускать электроны. При подаче на анод достаточно большого положительного напряжения все испущенные электроны испытывают ускорение в межэлектродном пространстве и движутся к аноду, образуя пространственный заряд, искажающий электрическое поле в конденсаторе. При малых токах эмиссии и малой концентрации электронов в межэлектродном вакууме влияние пространственного заряда незначительно: потенциал всех точек межэлектродного пространства снижается, но поле везде остаётся ускоряющим, поэтому почти все испущенные катодом электроны достигают анода. Ток анода равен току эмиссии катода и не зависит от анодного напряжения. Нагретый катод начинает испускать электроны. При подаче на анод достаточно большого положительного напряжения все испущенные электроны испытывают ускорение в межэлектродном пространстве и движутся к аноду, образуя пространственный заряд, искажающий электрическое поле в конденсаторе. При малых токах эмиссии и малой концентрации электронов в межэлектродном вакууме влияние пространственного заряда незначительно: потенциал всех точек межэлектродного пространства снижается, но поле везде остаётся ускоряющим, поэтому почти все испущенные катодом электроны достигают анода. Ток анода равен току эмиссии катода и не зависит от анодного напряжения.
 При дальнейшем нагреве катода пространственный заряд увеличивается настолько, что вблизи катода возникает потенциальный барьер – область с потенциалом ниже, чем потенциал катода. Электроны, испущенные катодом, испытывают отталкивание от области пространственного заряда и попадают в тормозящее поле. Электроны, покинувшие катод с достаточно большой скоростью, преодолевают потенциальный барьер и продолжают путь к аноду. Другие, медленные, электроны этот барьер преодолеть не могут, поэтому ток анода оказывается существенно ниже тока эмиссии катода. Практические измерения показывают, что с ростом анодного напряжения ток анода монотонно и нелинейно возрастает. При дальнейшем нагреве катода пространственный заряд увеличивается настолько, что вблизи катода возникает потенциальный барьер – область с потенциалом ниже, чем потенциал катода. Электроны, испущенные катодом, испытывают отталкивание от области пространственного заряда и попадают в тормозящее поле. Электроны, покинувшие катод с достаточно большой скоростью, преодолевают потенциальный барьер и продолжают путь к аноду. Другие, медленные, электроны этот барьер преодолеть не могут, поэтому ток анода оказывается существенно ниже тока эмиссии катода. Практические измерения показывают, что с ростом анодного напряжения ток анода монотонно и нелинейно возрастает.
 Количественная зависимость тока, ограниченного пространственным зарядом, от анодного напряжения и описывается законом «трёх вторых», которому посвящена данная работа. Количественная зависимость тока, ограниченного пространственным зарядом, от анодного напряжения и описывается законом «трёх вторых», которому посвящена данная работа.
 +
 Первую формулировку закона предложил в 1911 году Клемент Чайлд, впоследствии закон был уточнён и обобщён работавшими независимо друг от друга Ирвингом Ленгмюром (1913), Вальтером Шоттки (1915) и Сергеем Анатольевичем Богуславским (1923). Первую формулировку закона предложил в 1911 году Клемент Чайлд, впоследствии закон был уточнён и обобщён работавшими независимо друг от друга Ирвингом Ленгмюром (1913), Вальтером Шоттки (1915) и Сергеем Анатольевичем Богуславским (1923).
 +
 Закон «трех вторых» играет важнейшую роль в вакуумной электротехнике. С его помощью рассчитывают предельные токи в межэлектродных промежутках электронных ламп, а также при проектировании самых разнообразных источников пучков заряженных частиц. Закон «трех вторых» играет важнейшую роль в вакуумной электротехнике. С его помощью рассчитывают предельные токи в межэлектродных промежутках электронных ламп, а также при проектировании самых разнообразных источников пучков заряженных частиц.
  
 ==== 3. Вывод закона «трех вторых» ==== ==== 3. Вывод закона «трех вторых» ====
  
-Упрощённый вывод закона $\frac 32$ имеется в [[3.38|задаче 3.38]] задачника <<Электродинамика в задачах. Ч. 1. Электродинамика частиц и полей. // Меледин Г.В., Черкасский В.С.//>>, где при выводе рассматривается бесконечно тонкий катод.+Упрощённый вывод закона $\frac 32$ имеется в [[3.38|задаче 3.38]] задачника «Электродинамика в задачах. Ч. 1. Электродинамика частиц и полей.» //Меледин Г.В., Черкасский В.С.//, где при выводе рассматривается бесконечно тонкий катод.
  
 Измерение ВАХ диода в режиме закона трёх вторых (область II на {{:lab2:pic07.png?linkonly|рис. 7, б}}) и её построение в координатах $(U^{\frac{3}{2}}, I)$ Измерение ВАХ диода в режиме закона трёх вторых (область II на {{:lab2:pic07.png?linkonly|рис. 7, б}}) и её построение в координатах $(U^{\frac{3}{2}}, I)$